英特尔与工研院合作展示新技术：内存耗电至少降低25倍

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与工研院合作研究的阵列式内存记忆体技术，已开发出阵列式记忆体晶圆原型，耗电、传输频宽均比现有记忆体技术大幅改善，但还需优化技术、降低成本才可能进入商品化阶段。

英特尔在台举办亚洲区创新高峰会，展示和工研院合作开发的新记忆体技术，较现有DDR DRAM记忆体更省电，耗电降低至少25倍，未来可望为行动运算装置延长电池使用时间。

英特尔是在2011年宣佈将分5年投入500万美元，由英特尔实验室和工研院共同开发新的记忆体技术，以改善现有记忆体速度与耗电。可运用于手机、平板电脑、PC，到超级运算或大型资料中心。今天的亚洲区创新高峰会上英特尔则宣佈和台湾产官学界合作的初步研发成果。

英特尔副总裁暨实验室执行总监王文汉现场展示了和工研院合作开发的阵列式记忆体原型，新记忆体技术较现有DRAM传输延迟减少4倍，耗电上降低至少25倍，传输频宽则比DDR3记忆体提昇3到4倍。

新的阵列记忆体运用3-D堆叠技术，以硅穿孔（through silicon via, TSV）在逻辑元件晶粒上堆叠出3D结构，达到提昇频宽、降低耗电的目的。英特尔指出，阵列记忆体的原型技术未来可用在行动装置的SoC系统单晶片或资料中心大型阵列记忆体的控制器。

对于该技术何时步入商品化，王文汉表示，这项技术现阶段仍在实验阶段，距离商品化仍有段距离，希望进一步优化技术，降低生产的成本，在适当时机商品化。

英特尔实验室为英特尔内部的研究单位，过去孕育许多技术并已推向市场，例如高速传输介面Thunderbolt、低功耗处理器Atom、Wireless Display无线显示技术，还有今年在CES发表的小型晶片Edison，大小与邮票相当，内建Atom处理器及简单的I/O、通讯功能，希望催生出更多物联网、穿戴装置的创新产品。